晶圆激光解键合
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晶圆激光解键合

产品描述

1 设备概述

SL-LD25 晶圆激光解键合机为首镭激光自研工业级半导体量产设备,采用紫外纳秒 TOP-HAT 平顶光束,激光透过透明载片聚焦于临时键合胶层界面,光化学作用破坏胶层化学键,实现室温低应力解键合,避免机械剥离带来的晶圆翘曲、破片、器件损伤风险。 整机适配 6/8/12 英寸标准晶圆,兼容 FOUP/SMIF/cassette 上料,集成自动对位、激光扫描解键合、在线能量监测、配方管理、故障追溯;可对接产线 MES/SECSGEM,满足半导体洁净车间量产使用。

设备核心优势

  1. 自研平顶光束整形,光斑均匀性>92%,整面解键合一致性高,无局部过烧 / 残留区域全国科技企...
  2. 激光能量闭环实时监测补偿,光源漂移自动修正,长期量产工艺稳定性高。
  3. 室温解键合,几乎无热影响,超薄晶圆(≥20μm)、翘曲晶圆具备良好适配能力。
  4. 兼容市面主流临时键合胶体系,玻璃、蓝宝石透明载片均可使用,载片可回收复用。
  5. 全流程工艺日志记录,配方加密存储,满足半导体 IDMOSAT 工厂管控要求。
  6. 国产整机,维护成本低,核心光学、运动、软件模块自主可控。

2 核心工作原理

紫外激光穿透透明载片(玻璃 / 蓝宝石),经衍射光学元件 DOE 整形为高均匀平顶光斑,精准聚焦在临时键合胶界面层;光子能量打断胶层高分子化学键,胶层界面发生光化学解离,降低界面结合力;完成全域激光扫描后,晶圆与载片可低应力分离,器件晶圆无机械冲击损伤,载片可回收再利用。

适用前提:载片必须为紫外透光材质(玻璃、蓝宝石);不支持硅载片。

3 主要技术规格参数表

序号

项目

技术指标

备注

1

支持晶圆尺寸

6/8/12 英寸(150/200/300mm

标准配置 300mm,向下兼容小尺寸

2

器件晶圆厚度

20μm775μm

超薄减薄晶圆工艺适配

3

载片类型

玻璃载片、蓝宝石载片

透明紫外透过型载片

4

键合胶类型

主流临时键合解离胶

可针对客户胶材做工艺匹配开发

5

激光波长

355nm 紫外纳秒

标配,可定制其他波长

6

激光额定功率

25W@30kHz

型号 SLLD25 命名对应光源功率

7

脉冲宽度

≤12ns

纳秒光化学解离,低热效应

8

脉冲重复频率

10kHz200kHz 连续可调

软件参数可编程

9

光斑模式

TOPHAT 平顶光束

DOE 衍射光学整形,非高斯光斑

10

光斑均匀性

≥92%

有效加工区域内

11

单脉冲最大能量

≥1.2mJ

 

12

能量密度可调范围

0.051.0 J/cm²

软件连续可调

13

最大扫描速度

3000mm/s

数字振镜扫描

14

扫描范围

320mm×320mm

覆盖 12 寸全晶圆

15

运动平台

大理石基座,XYθZ 四轴

闭环伺服控制

16

XY 重复定位精度

±1.5μm

 

17

θ 旋转定位精度

±0.003°

晶圆缺口 / 平边对准

18

Z 轴行程

050mm

自动对焦,焦点闭环补偿

19

Z 重复定位精度

±2μm

焦点稳定性

20

晶圆翘曲兼容能力

±4mm

支持翘曲晶圆加工

21

典型加工节拍

≤110s / 片(12 英寸整片扫描)

不含上下料时间

22

设备整机尺寸

2200mm(L) ×2000mm(W)×1900mm(H)

不含外部附属机柜

23

整机重量

4200Kg

 

24

洁净等级

Class100

内部加工腔室

4 激光光学子系统

  1. 紫外纳秒激光器:355nm,额定 25W;内置光源状态监控,输出功率实时回读,具备功率衰减预警。
  2. 光束整形单元:DOE 衍射光学平顶整形模组,扩束匀光成像光路,氮气吹扫光路腔体,防止光学窗口污染。
  3. 高速数字振镜扫描系统:工业级高速振镜,支持高速大面积扫描,振镜温度闭环温控。
  4. 在线光斑 & 能量监测模块:内置能量计、光斑轮廓检测,实时采集激光输出;当能量偏移超过阈值自动报警、暂停加工,闭环补偿输出功率。
  5. 聚焦模组:远心 Fθ 镜头,工作距离固定;Z 轴自动对焦,焦点随晶圆翘曲动态补偿。
  6. 光路全部氮气保护吹扫,减少光学元件损耗,延长光学器件寿命。

5 运动平台与晶圆承载子系统

  1. 基座:天然大理石基座,减震设计,抑制外界振动对加工精度影响。
  2. 四轴运动 XYθZ,全闭环光栅反馈。
  3. 专用真空吸盘卡盘:适配临时键合复合晶圆,多点分区真空吸附;针对翘曲晶圆分区真空控制,降低碎片风险。
  4. 晶圆缺口 / 平边识别,自动寻边、晶圆中心对准。
  5. 卡盘温度室温工艺,不依赖加热实现解键合,避免热应力损伤器件。
  6. 腔室内部洁净气流,Class100 层流,防止颗粒污染晶圆。

样品:

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